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晶閘管智能模塊指的是一種特殊的模板,采用了采用全數字移相觸發(fā)集成電路。中文名晶閘管智能模塊特點三相交流模塊輸出對稱性好等優(yōu)點功耗低,效率高等適用溫度-25℃~+45℃目錄1模塊特點2模塊規(guī)格3注意事項4模塊參數晶閘管智能模塊模塊特點編輯(1)本產品均采用全數字移相觸發(fā)集成電路,實現了控制電路和晶閘管主電路集成一體化,使模塊具備了弱電控制強電的電力調控作用。(2)采用進口方形芯片,模塊壓降小、功耗低,效率高;采用進口貼片元件,保證觸發(fā)控制電路的可靠性;采用(DCB)陶瓷覆銅板,導熱性能好,熱循環(huán)負載次數高于國家標準近10倍;采用高級導熱絕緣封裝材料,絕緣、防潮性能優(yōu)良。(3)觸發(fā)控制電路、主電路和導熱底板相互隔離,導熱底板不帶電,絕緣強度≥2500V(RMS),保證人身安全。(4)三相交流模塊輸出對稱性好,直流分量小。大規(guī)格模塊具有過熱、過流、缺相保護作用。(5)輸入0~10V直流控制信號或0~5V直流控制信號、4~20mA儀表信號,均可實現對主電路輸出電壓進行平滑調節(jié);可手動、儀表或微機控制。(6)適用于阻性和感性負載。晶閘管在導通情況下,當主回路電壓(或電流)減小到接近于零時,晶閘管關斷。上海品質DAWIN韓國大衛(wèi)模塊工廠直銷
DAWIN韓國大衛(wèi)模塊定義/晶閘管編輯晶閘管導通條件為:加正向電壓且門極有觸發(fā)電流;其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,逆導晶閘管,光控晶閘管等。它是一種大功率開關型半導體器件,在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示(舊標準中用字母“SCR”表示)。晶閘管(Thyristor)是一種開關元件,能在高電壓、大電流條件下工作,并且其工作過程可以控制、被應用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中,是典型的小電流控制大電流的設備。1957年,美國通用電器公司開發(fā)出世界上個晶閘管產品,并于1958年使其商業(yè)化。結構/晶閘管編輯晶閘管它是由一個P-N-P-N四層(4layers)半導體構成的,中間形成了三個PN結。分類/晶閘管編輯晶閘管按其關斷、導通及控制方式可分為普通晶閘管(SCR)、雙向晶閘管(TRIAC)、逆導晶閘管(RCT)、門極關斷晶閘管(GTO)、BTG晶閘管、溫控晶閘管(TT國外,TTS國內)和光控晶閘管(LTT)等多種。晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。其中,金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種。上海品質DAWIN韓國大衛(wèi)模塊工廠直銷晶閘管有三個腿,有的兩個腿長,一個腿短,短的那個就是門極。
具有單向導電特性,而陽極A與門極之間有兩個反極性串聯的PN結。因此,通過用萬用表的R×100或R×1kQ檔測量普通晶閘管各引腳之間的電阻值,即能確定三個電極。具體方法是:將萬用表黑表筆任接晶閘管某一極,紅表筆依次去觸碰另外兩個電極。若測量結果有一次阻值為幾千歐姆(kΩ),而另一次阻值為幾百歐姆(Ω),則可判定黑表筆接的是門極G。在阻值為幾百歐姆的測量中,紅表筆接的是陰極K,而在阻值為幾千歐姆的那次測量中,紅表筆接的是陽極A,若兩次測出的阻值均很大,則說明黑表筆接的不是門極G,應用同樣方法改測其他電極,直到找出三個電極為止。也可以測任兩腳之間的正、反向電阻,若正、反向電阻均接近無窮大,則兩極即為陽極A和陰極K,而另一腳即為門極G。普通晶閘管也可以根據其封裝形式來判斷出各電極。螺栓形普通晶閘管的螺栓一端為陽極A,較細的引線端為門極G,較粗的引線端為陰極K。平板形普通晶閘管的引出線端為門極G,平面端為陽極A,另一端為陰極K。金屬殼封裝(T0—3)的普通晶閘管,其外殼為陽極A。塑封(T0—220)的普通晶閘管的中間引腳為陽極A,且多與自帶散熱片相連。晶閘管觸發(fā)能力檢測:對于小功率(工作電流為5A以下)的普通晶閘管,可用萬用表R×1檔測量。
塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。晶閘管晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、**率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常,大功率晶閘管多采用陶瓷封裝,而中、小功率晶閘管則多采用塑封或金屬封裝。晶閘管按其關斷速度可分為普通晶閘管和快速晶閘管,快速晶閘管包括所有專為快速應用而設計的晶閘管,有常規(guī)的快速晶閘管和工作在更高頻率的高頻晶閘管,可分別應用于400HZ和10KHZ以上的斬波或逆變電路中。(備注:高頻不能等同于快速晶閘管)工作原理/晶閘管編輯晶閘管在工作過程中,它的陽極(A)和陰極(K)與電源和負載連接,組成晶閘管的主電路,晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路。晶閘管晶閘管為半控型電力電子器件,它的工作條件如下:1.晶閘管承受反向陽極電壓時,不管門極承受何種電壓,晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。2.晶閘管承受正向陽極電壓時,*在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導通。這時晶閘管處于正向導通狀態(tài),這就是晶閘管的閘流特性,即可控特性。3.晶閘管在導通情況下,只要有一定的正向陽極電壓,不論門極電壓如何,晶閘管保持導通,即晶閘管導通后,門極失去作用。門極只起觸發(fā)作用。4.晶閘管在導通情況下。晶閘管是四層三端器件,它有J1、J2、J3三個PN結,可以把它中間的NP分成兩部分。
在恢復電流快速衰減時,由于外電路電感的作用,會在晶閘管兩端引起反向的尖峰電壓U。從正向電流降為零,到反向恢復電流衰減至接近于零的時間,就是晶閘管的反向阻斷恢復時間t。[1]反向恢復過程結束后,由于載流子復合過程比較慢,晶閘管要恢復其對反向電壓的阻斷能力還需要一段時間,這叫做反向阻斷恢復時間tgr。在反向阻斷恢復時間內如果重新對晶閘管施加正向電壓,晶閘管會重新正向導通,而不受門極電流控制而導通。所以在實際應用中,需對晶閘管施加足夠長時間的反壓,使晶閘管充分恢復其對正向電壓的阻斷能力,電路才能可靠工作。晶閘管的電路換向關斷時間t定義為t與t之和,即t=t+t除了開通時間t、關斷時間t及觸發(fā)電流IGT外,本文比較關注的晶閘管的其它主要參數包括:斷態(tài)(反向)重復峰值電壓U(U):是在門極斷路而結溫為額定值時,允許重復加在器件上的正向(反向)峰值電壓。通常取晶閘管的UDRM和URRM中較小的標值作為該器件的額定電壓。通態(tài)平均電流I:國際規(guī)定通態(tài)平均電流為晶閘管在環(huán)境溫度為40℃和規(guī)定的冷卻狀態(tài)下,穩(wěn)定結溫不超過額定結溫時所允許流過的**大工頻正弦半波電流的平均值。這也是標稱其額定電流的參數。晶閘管的主要參數有反向最大電壓,是指門極開路時,允許加在陽極、陰極之間的比較大反向電壓。上海品質DAWIN韓國大衛(wèi)模塊工廠直銷
其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,逆導晶閘管,光控晶閘管等。上海品質DAWIN韓國大衛(wèi)模塊工廠直銷
人們在制造工藝和結構上采取了一些改進措施,做出了能適應于高頻應用的晶閘管,我們將它稱為快速晶閘管。它具有以下幾個特點。一、關斷時間(toff)短導通的晶閘管,當切斷正向電流時。并不能馬上“關斷”,這時如立即加上正向電壓,它還會繼續(xù)導通。從切斷正向電流直到控制極恢復控制能力需要的時間,叫做關斷時間。用t0仟表示。晶閘管的關斷過程,實際上是儲存載流子的消失過程。為了加速這種消失過程,制造快速晶閘管時采用了摻金工藝,把金摻到硅中減少基區(qū)少數載流子的壽命。硅中摻金量越多,t0仟越小,但摻金量過多會影響元件的其它性能。二、導通速度快.能耐較高的電流上升率(dI/dt)控制極觸發(fā)導通的晶閘管??偸窃诳拷刂茦O的陰極區(qū)域首先導通,然后逐漸向外擴展,直到整個面積導通。大面積的晶閘管需要50~100微秒以上才能積導通。初始導通面積小時,必須限制初始電流的上升速度,否則將發(fā)生局部過熱現象,影響元件的性能,甚至燒壞。高頻工作時這種現象更為嚴重。為此,仿造了集成電路的方法,在晶閘管同一硅片上做出一個放大觸發(fā)信號用的小晶閘管??刂茦O觸發(fā)小晶閘管后,小晶閘管的初始導通電流將橫向經過硅片流向主晶閘管陰極,觸發(fā)主晶閘管。上海品質DAWIN韓國大衛(wèi)模塊工廠直銷
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